岗位职责

• 【岗位职责】 1、器件结构设计与仿真:主导SiC沟槽栅MOSFET的元胞结构、终端结构设计,优化电场分布,抑制JFET效应,提升击穿电压与导通性能; 2、版图设计与工艺协同:完成器件版图(Layout)设计,与晶圆厂协同优化关键工艺步骤;确保版图与工艺窗口匹配,提升良率; 3、参与SiC-MOS可靠性及分析失效,提出结构或工艺改进方案; 【任职要求】 1、本科及以上学历‌,微电子、半导体物理、电子科学与技术、电力电子等相关专业; 2、 3年‌以上SiC功率器件设计经验,‌必须具备沟槽栅结构开发全流程经验‌(从设计到流片);有8英寸SiC晶圆流片经验者优先; 3、精通‌TCAD仿真工具‌(Sentaurus)、 熟练使用‌版图设计工具‌(Cadence Virtuoso、L-Edit); 4、深入理解‌SiC材料特性‌,掌握‌沟槽栅结构设计关键技术‌:栅氧保护、过渡区电场屏蔽、源极扩展区优化,终端耐压结果;